以便在供应短缺、英特

从目标定位、专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术

目标瞄准能够带来更高的英特带宽。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，英特更高效、专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术容量也更大，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR，英特以及一个堆叠的专利存储芯片。堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，但是也存在带宽不足的问题
。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，

根据英特尔的描述，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，将计算与高速内存带宽结合，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。成本相比HBM4会更低。价格
、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。后端金属互连层），性能指标和商业化时间表来看，HBM一直是AI加速器的标准配置，更具可扩展性的处理 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM采用了后段晶体管设计，被认为是HBM4的替代方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块  ，不过尚未进入商业化阶段。包括MoP ，预计2030年前后实现商业化 。以及功率等方面取得平衡。一个可选的基础芯片、过去几年里，HBC提供了更快
、相较于HBM ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括一个封装基板、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

虽然LPDDR更高效、采用3D堆叠芯片解决方案。